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真空薄膜技術(shù)與薄膜材料的應(yīng)用及學習薄膜技術(shù)意義.doc
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2021-06-21
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真空薄膜技術(shù)與薄膜材料的應(yīng)用及學習薄膜技術(shù)意義,真空薄膜技術(shù)與薄膜材料的應(yīng)用及學習薄膜技術(shù)意義。
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真空薄膜技術(shù)與薄膜材料的應(yīng)用及學習薄膜技術(shù)意義
張龍
材料物理
摘要:本文主要講述薄膜材料的一些基本特點和在能源,軍事以及其它方面的一些應(yīng)用,并列舉部分應(yīng)用比較廣泛的薄膜材料及現(xiàn)今前沿的薄膜材料和薄膜技術(shù)如光學薄膜中的太陽能薄膜,眼鏡鍍膜,抗反射膜及其他的一些耐腐蝕薄膜和電容薄膜,并闡述學習薄膜技術(shù)的意義。
關(guān)鍵詞:薄膜;應(yīng)用;發(fā)展;意義
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引言:真空薄膜技術(shù)發(fā)展至今已有年的歷史。在一代代探索者的艱辛研究下各種材料的薄膜化已經(jīng)成為一種普遍趨勢,以至于將薄膜材料及薄膜技術(shù)看成世紀科學與技術(shù)領(lǐng)域的重要發(fā)展方向之一。
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真空薄膜技術(shù)發(fā)展至今已有年的歷史。在世紀可以說一直是處于探索和預(yù)研階段。經(jīng)過一代代探索者的艱辛研究,時至今日大量具有各種不同功能的薄膜得到了廣泛的應(yīng)用,薄膜作為一種重要的材料在材料領(lǐng)域占據(jù)著越來越重要的地位,各種材料的薄膜化已經(jīng)成為一種普遍趨勢。其中包括納米薄膜、量子線、量子點等低維材料,高值和低值介質(zhì)薄膜材料,大規(guī)模集成電路用布線材料,巨磁電阻、磁電阻等磁致電阻薄膜材料,大禁帶寬度的“硬電子學”半導體薄膜材料,發(fā)藍光的光電半導體材料,高透明性低電阻率的透明導電材料,以金剛石薄膜為代表的各類超硬薄膜材料等。這些新型薄膜材料的出現(xiàn),為探索材料在納米尺度內(nèi)的新現(xiàn)象、新規(guī)律,開發(fā)材料的新特性、新功能,提高超大規(guī)模集成電路的集成度,提高信息存儲記錄密度,擴大半導體材料的應(yīng)用范圍,提高電子元器件的可靠性,提高材料的耐磨抗蝕性等,提供了物質(zhì)基礎(chǔ)。以至于將薄膜材料及薄膜技術(shù)看成世紀科學與技術(shù)領(lǐng)域的重要發(fā)展方向之一。
薄膜技術(shù)與薄膜材料之所以受到人們的關(guān)注,主要基于下面幾個理由:
薄膜材料是典型的二維材料,即在兩個尺度上較大,而在第三個尺度上很小。
作為二維材料,薄膜材料的最主要特點是所謂尺寸特點,利用這個特點可以實現(xiàn)各種元器件的微型化、集成化。
由于尺寸小,薄膜材料中表面和界面所占的相對比例較大,表面所表現(xiàn)的有關(guān)性質(zhì)極為突出,存在一系列與表面界面有關(guān)的物理效應(yīng)。
在表面,原子周期性中斷,產(chǎn)生的表面能級、表面態(tài)數(shù)目與表面原子數(shù)有同一量級,對于半導體等載流子少的物質(zhì)將產(chǎn)生較大影響。
表面磁性原子的相鄰原子數(shù)減少,引起表面原子磁矩增大。
薄膜材料各向異性等等。
薄膜材料種類繁多應(yīng)用廣泛目前常用的有:超導薄膜、導電薄膜、電阻薄膜、半導體薄膜、介質(zhì)薄膜、絕緣薄膜、鈍化與保護薄
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真空薄膜技術(shù)與薄膜材料的應(yīng)用及學習薄膜技術(shù)意義
張龍
材料物理
摘要:本文主要講述薄膜材料的一些基本特點和在能源,軍事以及其它方面的一些應(yīng)用,并列舉部分應(yīng)用比較廣泛的薄膜材料及現(xiàn)今前沿的薄膜材料和薄膜技術(shù)如光學薄膜中的太陽能薄膜,眼鏡鍍膜,抗反射膜及其他的一些耐腐蝕薄膜和電容薄膜,并闡述學習薄膜技術(shù)的意義。
關(guān)鍵詞:薄膜;應(yīng)用;發(fā)展;意義
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引言:真空薄膜技術(shù)發(fā)展至今已有年的歷史。在一代代探索者的艱辛研究下各種材料的薄膜化已經(jīng)成為一種普遍趨勢,以至于將薄膜材料及薄膜技術(shù)看成世紀科學與技術(shù)領(lǐng)域的重要發(fā)展方向之一。
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真空薄膜技術(shù)發(fā)展至今已有年的歷史。在世紀可以說一直是處于探索和預(yù)研階段。經(jīng)過一代代探索者的艱辛研究,時至今日大量具有各種不同功能的薄膜得到了廣泛的應(yīng)用,薄膜作為一種重要的材料在材料領(lǐng)域占據(jù)著越來越重要的地位,各種材料的薄膜化已經(jīng)成為一種普遍趨勢。其中包括納米薄膜、量子線、量子點等低維材料,高值和低值介質(zhì)薄膜材料,大規(guī)模集成電路用布線材料,巨磁電阻、磁電阻等磁致電阻薄膜材料,大禁帶寬度的“硬電子學”半導體薄膜材料,發(fā)藍光的光電半導體材料,高透明性低電阻率的透明導電材料,以金剛石薄膜為代表的各類超硬薄膜材料等。這些新型薄膜材料的出現(xiàn),為探索材料在納米尺度內(nèi)的新現(xiàn)象、新規(guī)律,開發(fā)材料的新特性、新功能,提高超大規(guī)模集成電路的集成度,提高信息存儲記錄密度,擴大半導體材料的應(yīng)用范圍,提高電子元器件的可靠性,提高材料的耐磨抗蝕性等,提供了物質(zhì)基礎(chǔ)。以至于將薄膜材料及薄膜技術(shù)看成世紀科學與技術(shù)領(lǐng)域的重要發(fā)展方向之一。
薄膜技術(shù)與薄膜材料之所以受到人們的關(guān)注,主要基于下面幾個理由:
薄膜材料是典型的二維材料,即在兩個尺度上較大,而在第三個尺度上很小。
作為二維材料,薄膜材料的最主要特點是所謂尺寸特點,利用這個特點可以實現(xiàn)各種元器件的微型化、集成化。
由于尺寸小,薄膜材料中表面和界面所占的相對比例較大,表面所表現(xiàn)的有關(guān)性質(zhì)極為突出,存在一系列與表面界面有關(guān)的物理效應(yīng)。
在表面,原子周期性中斷,產(chǎn)生的表面能級、表面態(tài)數(shù)目與表面原子數(shù)有同一量級,對于半導體等載流子少的物質(zhì)將產(chǎn)生較大影響。
表面磁性原子的相鄰原子數(shù)減少,引起表面原子磁矩增大。
薄膜材料各向異性等等。
薄膜材料種類繁多應(yīng)用廣泛目前常用的有:超導薄膜、導電薄膜、電阻薄膜、半導體薄膜、介質(zhì)薄膜、絕緣薄膜、鈍化與保護薄
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